単結晶内部に動的イオン空間を人為的に構築することにより，新規機能性材料の構築を目指した。 例えば，イオンが包接可能な大環状分子を一次元に配列させることによってイオン伝導が可能な単結晶材料の合成が可能となる。 この様に作成した材料を用いて，その電気的，磁気的評価や熱的効果を評価する。 次いで，得られた物性値を基に固体電池などのデバイスへの応用を計り，新たな分子エレクトロニクスデバイスの構築を目指した。

現在，低次元スピンギャップ化合物の物理的・化学的研究が盛んに行われている。 中でも，スピンギャップ化合物の一種であるスピンラダー物質は一次元と二次元の中間に位置する材料であり，その基底状態に興味がもたれている。 加えて，この系は高温超伝導体の母体と類似した基底状態を有することから，キャリアドーピングによる超伝導相の出現が理論的に指摘されている。 そこで，本研究室では分子磁性体を基盤とした低次元スピンラダー物質の作成と本系へのキャリアドープを実現し，新種の分子性スピンラダー超伝導体の構築を目指した。

外部電場の印加により制御可能な双極子を有する材料は誘電体として知られており，その中でも自発分極を示す強誘電体は，不揮発性メモリや圧電体など応用性の高さから広く研究が展開されている。 従来，強誘電性は結晶構造に由来した物性である為，微細化によりその特性を消失し，単分子による特性発現は不可能とされてきた。 本研究室では，強誘電体のイオン移動機構を単分子内に集約することで，世界で初めて，恰も強誘電体の様に振舞う分子，単分子誘電体の存在について報告している。 現在では，単分子誘電体の機構の解明を始め，新規単分子誘電体の開発を進めている。加えて，単分子誘電体を実装したメモリデバイスの開発を目指している。